Az elmúlt években az N típusú fotovoltaikus modul termékek iránti piaci kereslet gyorsan növekszik. Közülük a TOPCon termékek a magas költséghatékonyság és az egyértelmű hatékonyságjavítási pálya előnyeivel vezető szerepet töltöttek be a nagyüzemi tömeggyártásban, és 2024-ben domináns pozíciót foglaltak el a világpiacon. Az éles piaci versenyben A TOPCon akkumulátora elsősorban a fotovoltaikus rendszerek hatékonyságának javítására, költségcsökkentésre és hatékonyságnövelésre használ műszaki eszközöket? Az akkumulátor hatékonyságának csökkenésének forrásai: optikai veszteség és elektromos veszteség
Az akkumulátorcellák hatékonyságvesztése főként optikai veszteségből és elektromos veszteségből adódik. Az optikai veszteséget főként az akkumulátor felületén lévő fémrácsvonalak eltömődése okozza; az elektromos veszteség egy része a fémrácsvonalak érintkezési ellenállásából, másik része pedig az elektronok és lyukak rekombinációs veszteségéből származik.
TOPCon akkumulátor: passzivációs érintkező, csökkenti az akkumulátor rekombinációs veszteségét
Az akkumulátor hatékonyságának javítása érdekében folyamatosan csökkenteni kell az optikai veszteséget és az elektromos veszteséget. A különböző akkumulátortechnológiák különböző optimalizálási intézkedéseket alkalmaznak: a BC akkumulátor úgy dönt, hogy az összes elektródát az akkumulátorcella hátuljára helyezi, ezáltal csökkentve az elülső rácsvonal elzáródásának optikai veszteségét; A TOPCon akkumulátor fő hatékonyságjavító módszere az akkumulátor rekombinációs veszteségének csökkentése passzivációs érintkezési technológia révén.
Az akkumulátorban az elektronok és lyukak rekombinációja főként a szilícium lapka felületén és azon a részén megy végbe, ahol a szilícium lapka érintkezik a fémmel. A rekombináció után az elektronok vagy lyukak már nem járulnak hozzá a fotoáramhoz, így befolyásolják az akkumulátor hatékonyságát.
A TOPCon passzivációs érintkezőszerkezete elsősorban a következő három módon csökkenti az akkumulátor rekombinációs veszteségét:
1. Az alagúthatást a lerakódott SiO2 filmen keresztül érik el: vagyis csak az elektronokat engedik át az akkumulátor hátoldalán, míg a lyukak nem tudnak áthaladni, ezáltal csökken az elektronok és lyukak rekombinációs vesztesége az átviteli folyamat során;
2. A térpasszivációs hatást a lerakott adalékolt poliszilícium rétegen (Poly-Si) keresztül érjük el: vagyis az akkumulátor felületén elektromos tér jön létre, amely megakadályozza a hátoldali lyukak közeledését, és ezáltal csökkenti azok elektronokkal való rekombinációját. .
3. A felvitt adalékolt poliszilícium réteg jó vezetési teljesítményt biztosít az elektronok számára: a hátoldalon lévő fém kapuvonal közvetlenül érintkezik az adalékolt poliszilícium réteggel, ezáltal elkerülhető a közvetlen érintkezés az akkumulátor szilícium lapka és a fém között, nagymértékben csökkentve ennek a résznek a rekombinációs veszteségét. .